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El horno de tubo automático del laboratorio aumentó el horno de la deposición de vapor químico

El horno de tubo automático del laboratorio aumentó el horno de la deposición de vapor químico

    • Automatic Lab Tube Furnace Enhanced Chemical Vapor Deposition Furnace
  • Automatic Lab Tube Furnace Enhanced Chemical Vapor Deposition Furnace

    Datos del producto:

    Lugar de origen: China
    Nombre de la marca: Brother Furnace
    Certificación: CE
    Número de modelo: BR-PECVD

    Pago y Envío Términos:

    Cantidad de orden mínima: 1 set
    Precio: Negotiation
    Detalles de empaquetado: Caja de madera fuerte para el envío global
    Tiempo de entrega: 7-21 días laborables
    Condiciones de pago: L / C, T / T, Western Union
    Capacidad de la fuente: 200 sistemas por mes
    Contacto
    Descripción detallada del producto
    Temperatura máxima: 1200℃ Vacío normal: -0.1Mpa
    Vacío máximo: Bomba molecular de la configuración, PA del vacío 7x10-4 (opcional) Reborde: reborde del lacre del acero inoxidable 304
    Protección de sobrecalentamiento: poder-apagado automático cuando la temperatura excede el valor determinado permisible Protección de la seguridad: Automáticamente poder apagado cuando el cuerpo del horno se escapa
    Estructura del horno: ventilador dual de acero de la capa doble, temperatura superficial debajo de 50℃ VELOCIDAD DE CALENTAMIENTO DEL MAX: 20°C /min
    Exactitud de la temperatura: ±1℃ Uniformidad de la temperatura: ±5℃
    Control de la temperatura: 50 segmentos programables y control auto Tubo de horno: Tubo del cuarzo
    Uso: El plasma aumentó el horno de la deposición de vapor químico
    Alta luz:

    rotating tube furnace

    ,

    quartz tube furnace

    El plasma del laboratorio aumentó el horno de la deposición de vapor químico hasta 1200 grados
     
    Introducción inteligente de PECVD:
    El sistema de PECVD se diseña para disminuir la temperatura de la reacción del CVD tradicional. Instaló el equipo de la inducción del RF delante del CVD tradicional para ionizar reaccionar el gas, así que se genera el plasma. La alta actividad del plasma es reacción es acelerado debido a la alta actividad del plasma. Así pues, este sistema se llama PECVD.
    Este modelo es el producto más nuevo, sintetizó las ventajas de la mayoría de los sistemas del tubo PECVD, y añadió una zona de precalentamiento en el frente del sistema de PECVD. Las pruebas mostraron que la velocidad de la deposición es más rápida, la calidad de la película son mejores, los agujeros son menos, y no se agrietarán. El sistema de control inteligente completamente automático de AISO es diseñado independientemente por nuestra compañía, es más conveniente actuar y su función es más potente.
    Gama ancha del uso: película de película metálica, de cerámica, película compuesta, el crecimiento continuo de diversas películas. Fácil aumentar la función, puede ampliar el grabado de pistas de la limpieza del plasma y otras funciones
     
     
    Característica principal:

    • Alta tarifa de deposición de la película: La tecnología del resplandor del RF, aumentando grandemente el índice de deposición de la película, la tarifa de deposición puede alcanzar 10Å/S
       
    • Alta uniformidad del área: La tecnología de alimentación de múltiples puntos avanzada del RF, la distribución especial de la trayectoria del gas, y la tecnología de calefacción, los etc., hacen el alcance el 8% del índice de la uniformidad de la película
       
    • Alta consistencia: usando el concepto de diseño avanzado de la industria del semiconductor, la desviación entre los substratos de una deposición es menos del 2%
       
    • Alta estabilidad de proceso: El equipo altamente estable asegura un proceso continuo y estable

    El horno de tubo automático del laboratorio aumentó el horno de la deposición de vapor químico 0
     
    Repuestos del estándar:

    • Tapar las PC del tubo 4
    • PC del tubo de horno 1
    • PC de la bomba de vacío 1
    • Sistemas del reborde 2 del sellado al vacío
    • PC del indicador de vacío 1
    • Bomba de la entrega y de vacío del gas
    • Equipo del plasma del RF

     
    Repuestos opcionales:
     

    • Reborde de la liberación rápida, reborde de tres vías
    • 7 pedregal del tacto de la pulgada HD

     
     
     
    El plasma aumentó la especificación estándar del horno de la deposición de vapor químico:

    1. Sistema de calefacción
    Max.temperature1200℃ (1 hora)
    Temperatura de trabajo≤1100℃
    Tamaño de la cámaraΦ100*1650mm (el diamater del tubo es adaptable)
    Material de la cámaraPanel de fibras del alúmina de la pureza elevada
    TermoparTipo de K
    Temperatureaccuracy±1℃
    Control de la temperatura

    segmentos programables del ● 50 para el control exacto de la velocidad de calentamiento, de la tarifa de enfriamiento y del tiempo de detención.

    ● construido en la función del Auto-tono del PID con la protección rota termopar de recalentamiento y rota.

    Sistema del control automático del PLC del ● por el regulador de la PC dentro.

    El ● el sistema del control de la temperatura, deslizando el sistema (tiempo y distancia) se podría controlar por programa.

    Longitud de la calefacción440m m
    Longitud constante de la calefacción200m m
    Elemento de calefacciónAlambre de resistencia
    Fuente de alimentaciónMonofásico, 220V, 50Hz
    Poder clasificado9kW
    2. Fuente del plasma del RF
    Frecuencia del RF13,56 el MHz±0.005%
    De potencia de salida500W
    Máximo refleje el poder500W
    El RF hizo salir el interfaz50 Ω, N-tipo, femenino
    Estabilidad del poderel ±0.1%
    Componente armónico≤-50dbc
    Voltaje de fuente/frecuenciaMonofásico AC220V 50/60HZ
    Eficacia entera>el =70%
    Factor de poder>el =90%
    Cámara de enfriamientoDe aire forzado
    3. Sistema de control total de tres flujómetros de la precisión
    Dimensión externa600x600x650m m
    Tipo del conectorJunta de Swagelok SS
    Gama estándar (N2)0~100sccm, 0~200sccm, o adaptable
    Exactitudel ±1.5%
    Linearel ±0.5~1.5%
    Repetibilidadel ±0.2%
    Tiempo de respuesta

    Propiedad del gas: Sec 1~4;
    Propiedad eléctrica: Sec 10

    Gama de presión0.1~0.5 MPa
    Max.pressure3MPa
    InterfazΦ6,1/4”
    Exhibiciónexhibición de 4 dígitos
    Temperatura ambientegas de la pureza elevada 5~45
    Indicador de presión- 0.1~0.15 MPa, 0,01 MPa/unidad
    Pare la válvulaΦ6
    Pula el tubo de los SSΦ6
    Sistema bajo del vacío incluido
     

     
    ¿Por qué el plasma del laboratorio de Brother aumentó el horno de la deposición de vapor químico?

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