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El plasma del horno de tubo de vacío 1200℃ aumentó el horno de LPCVD con la bomba de vacío

El plasma del horno de tubo de vacío 1200℃ aumentó el horno de LPCVD con la bomba de vacío

1200℃ Vacuum Tube Furnace Plasma Enhanced LPCVD Furnace With Vacuum Pump

Datos del producto:

Lugar de origen: China
Nombre de la marca: Brother Furnace
Certificación: CE
Número de modelo: BR-PECVD

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima: 1 set
Precio: Negotiation
Detalles de empaquetado: Caja de madera fuerte para el envío global
Tiempo de entrega: 7-21 días laborables
Condiciones de pago: L / C, T / T, Western Union
Capacidad de la fuente: 200 sistemas por mes
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Descripción detallada del producto
Max Temperature: 1200℃ Normal vacuum: -0.1MPa
Max Vacuum: Configuration molecular pump, Vacuum 7x10-4 Pa (Optional) Flange: 304 stainless steel sealing flange
Over-temperature protection: automatic power-off when the temperature exceeds the allowable set value Safety protection: Automatically power off when the furnace body leaks
Furnace structure: double layer steel dual cooling fan, surface temperature below 50℃ Max Heating rate: 20°C /min
TEMPERATURE ACCURACY: ±1℃ TEMPERATURE UNIFORMITY: ±5℃
Temperature Control: 50 Segments programmable and auto control Furnace tube: Quartz tube
Application: Plasma Enhanced LPCVD

El plasma 1200℃ aumentó el horno de LPCVD con la bomba de vacío
 
Introducción inteligente de LPCVD:
El sistema de PECVD se diseña para disminuir la temperatura de la reacción del CVD tradicional. Instaló el equipo de la inducción del RF delante del CVD tradicional para ionizar reaccionar el gas, así que se genera el plasma. La alta actividad del plasma es reacción es acelerado debido a la alta actividad del plasma. Así pues, este sistema se llama PECVD.
Este modelo es el producto más nuevo, sintetizó las ventajas de la mayoría de los sistemas del tubo PECVD, y añadió una zona de precalentamiento en el frente del sistema de PECVD. Las pruebas mostraron que la velocidad de la deposición es más rápida, la calidad de la película son mejores, los agujeros son menos, y no se agrietarán. El sistema de control inteligente completamente automático de AISO es diseñado independientemente por nuestra compañía, es más conveniente actuar y su función es más potente.
Gama ancha del uso: película de película metálica, de cerámica, película compuesta, el crecimiento continuo de diversas películas. Fácil aumentar la función, puede ampliar el grabado de pistas de la limpieza del plasma y otras funciones
 
 
Característica principal:

  • Alta tarifa de deposición de la película: La tecnología del resplandor del RF, aumentando grandemente el índice de deposición de la película, la tarifa de deposición puede alcanzar 10Å/S
     
  • Alta uniformidad del área: La tecnología de alimentación de múltiples puntos avanzada del RF, la distribución especial de la trayectoria del gas, y la tecnología de calefacción, los etc., hacen el alcance el 8% del índice de la uniformidad de la película
     
  • Alta consistencia: usando el concepto de diseño avanzado de la industria del semiconductor, la desviación entre los substratos de una deposición es menos del 2%
     
  • Alta estabilidad de proceso: El equipo altamente estable asegura un proceso continuo y estable


 
Repuestos del estándar:

  • Tapar las PC del tubo 4
  • PC del tubo de horno 1
  • PC de la bomba de vacío 1
  • Sistemas del reborde 2 del sellado al vacío
  • PC del indicador de vacío 1
  • Bomba de la entrega y de vacío del gas
  • Equipo del plasma del RF

 
Repuestos opcionales:
 

  • Reborde de la liberación rápida, reborde de tres vías
  • 7 pedregal del tacto de la pulgada HD

 
 
 
Especificación estándar partida del horno de tubo del laboratorio PECVD:
 

1. Sistema de calefacción
Max.temperature 1200℃ (1 hora)
Temperatura de trabajo ≤1100℃
Tamaño de la cámara Φ100*1650mm (el diamater del tubo es adaptable)
Material de la cámara Panel de fibras del alúmina de la pureza elevada
Termopar Tipo de K
Temperatureaccuracy ±1℃
Control de la temperatura

segmentos programables del ● 50 para el control exacto de la velocidad de calentamiento, de la tarifa de enfriamiento y del tiempo de detención.

● construido en la función del Auto-tono del PID con la protección rota termopar de recalentamiento y rota.

Sistema del control automático del PLC del ● por el regulador de la PC dentro.

El ● el sistema del control de la temperatura, deslizando el sistema (tiempo y distancia) se podría controlar por programa.

Longitud de la calefacción 440m m
Longitud constante de la calefacción 200m m
Elemento de calefacción Alambre de resistencia
Fuente de alimentación Monofásico, 220V, 50Hz
Poder clasificado 9kW
2. Fuente del plasma del RF
Frecuencia del RF 13,56 el MHz±0.005%
De potencia de salida 500W
Máximo refleje el poder 500W
El RF hizo salir el interfaz 50 Ω, N-tipo, femenino
Estabilidad del poder el ±0.1%
Componente armónico ≤-50dbc
Voltaje de fuente/frecuencia Monofásico AC220V 50/60HZ
Eficacia entera >el =70%
Factor de poder >el =90%
Cámara de enfriamiento De aire forzado
3. Sistema de control total de tres flujómetros de la precisión
Dimensión externa 600x600x650m m
Tipo del conector Junta de Swagelok SS
Gama estándar (N2) 0~100sccm, 0~200sccm, o adaptable
Exactitud el ±1.5%
Linear el ±0.5~1.5%
Repetibilidad el ±0.2%
Tiempo de respuesta

Propiedad del gas: Sec 1~4;
Propiedad eléctrica: Sec 10

Gama de presión 0.1~0.5 MPa
Max.pressure 3MPa
Interfaz Φ6,1/4”
Exhibición exhibición de 4 dígitos
Temperatura ambiente gas de la pureza elevada 5~45
Indicador de presión - 0.1~0.15 MPa, 0,01 MPa/unidad
Pare la válvula Φ6
Pula el tubo de los SS Φ6
Sistema bajo del vacío incluido
 

 
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